Самсунг начала производство 512 ГБ памяти eUFS для мобильных устройств обновленного поколения

Такие модули памяти ориентированы на флагманские мобильные телефоны и планшеты.

Самсунг Electronics Co., Ltd. объявила о запуске серийного производства первой в области 512-гигабайтной встроенной памяти Universal Flash Storage (eUFS), предназначенной для мобильных устройств обновленного поколения. Таким образом, наименее чем за два года инженерам Самсунг удалось вдвое поднять плотность хранения данных. Встраиваемые модули флеш-памяти eUFS (embedded Universal Flash Storage) используют 64-слойные 512-гигабитные чипы V-NAND.

Новое хранилище имеет те же размеры, что и текущее хранилище на 256 ГБ — это превосходная новость, так как внутреннее пространство в телефонах не безгранично.

В модулях применяется 64-слойная технология вертикальной компоновки V-NAND. Например, флагманский смартфон с накопителем такого объема способен вместить 130 видеороликов длительностью около 10 мин. каждый, снятых в разрешении 3840х2160 пикселей. Это в 10 раз больше, чем может хранить смартфон с 64 ГБ встроенной памяти. Наибольшее число операций при чтении/записи случайных блоков — до 42000 / 40000 IOPS. Это в 8 раз скорее в сравнении с обыкновенной micro SD картой.

Samsung Galaxy S9 может получить рекордный для смартфонов объем памяти

Навигация

Следующая статья:

Поделитесь своим мнением
Для оформления сообщений Вы можете использовать следующие тэги:
<a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <s> <strike> <strong>

life event в соц.сетях

© 2017 LIFE event